Foundry Services

ams OSRAM 0.35 μm und 180 nm
PROTOTYPEN UND SERIENFERTIGUNG

Über EUROPRACTICE-IC erhalten Kunden aus Wissenschaft und Industrie Zugang zu Multi-Project-Wafer-Runs und Serienfertigungs-Services von ams.
 
Die ams State-of-the-art 8-Zoll-Fab bietet leistungsstarke Prozesstechnologien mit mehr als 30 Jahren Wafer Processing Erfahrung. Das PDK (Process Design Kit) bietet alle Blöcke, die für die Erstellung komplexer analoger Mixed-Signal-Designs erforderlich sind.

Die in Österreich hergestellten ams 0,35 µm und 180 nm Technologien mit Standard-CMOS-, HV-, SiGe- und Opto-Prozess bieten Wissenschaft und Industrie einen erschwinglichen und einfachen Zugang zu Prototyping- und Small-Volume-Services.

GLOBALFOUNDRIES 130, 55, 45, 40, 28, 22, 12 nm
PROTOTYPEN UND SERIENFERTIGUNG

Über EUROPRACTICE-IC können Kunden aus dem akademischen und privaten Sektor auf die Multi-Project-Wafer- und Serienfertigungs-Services von GLOBALFOUNDRIES zugreifen.

GLOBALFOUNDRIES ist eine führende Spezial-Foundry mit einem breiten Angebot an Plattformen und Features wie RF CMOS, FDSOI, RFSOI, SiGe, FinFET und SiPhotonics. Die Technologieknoten reichen von 350 nm bis 12 nm. Die 22 nm und 28 nm Knoten von Globalfoundries werden in Dresden hergestellt.

GLOBALFOUNDRIES 22FDX^® verwendet die 22-nm Fully Depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI) Technologie, die eine herausragende Performance bei extrem niedriger Leistungsaufnahme bietet und bei 0,4 V Low-power sowie mit 1 pA pro Mikron für extrem niedrige Standby-Leakage arbeiten kann.

IHP 0.25 and 0.13 μm
PROTOTYPEN UND SERIENFERTIGUNG

EUROPRACTICE-IC bietet Zugang zu IHP SiGe:C BiCMOS-Technologien für Prototyping und die Produktion kleiner Stückzahlen.

IHP bietet Forschungspartnern und Industriekunden weltweit Zugang zu seinen leistungsstarken SiGe:C BiCMOS-Technologien. Mehrere Generationen von High-Speed SiGe Heterojunction Bipolartransistoren (HBT) wurden entwickelt und in 0,25 μm und 0,13 μm BiCMOS-Technologien integriert.

Der 0,13 μm BiCMOS-Prozess SG13G3Cu ist die schnellste derzeit verfügbare SiGe HBT-Technologie mit Spitzenwerten von fT / fmax-Werten von 500 GHz / 700 GHz. Diese IHP-Technologien eignen sich besonders für Anwendungen in den höheren GHz-Bändern, z. B. für Telekommunikation & Breitband, Radar und mehr.

G25H5_EPIC ist die monolithische Integration von photonischen Bauelementen wie Detektoren und Modulatoren in das Frontend einer Si-basierten integrierten Schaltungstechnologie, die kürzeste Verbindungen zwischen Photonik und Elektronik ermöglicht, von denen die Hochgeschwindigkeitsleistung von elektronisch-photonischen integrierten Schaltkreisen (EPIC) stark profitieren. Diese Technologie eignet sich besonders für optische Transceiver für 100G / 200G / 400 GHz-Anwendungen.

X-FAB 0.35, 0.18, 0.13 μm
PROTOTYPEN UND SERIENFERTIGUNG

EUROPRACTICE-IC bietet akademischen Institutionen sowie kleinen und mittelständischen Unternehmen Multi-Project-Wafer- und Fertigungsdienstleistungen von X-FAB an.

X-Fab ist eine führende Foundry-Gruppe für Analog- / Mixed-Signal-Halbleiteranwendungen mit sechs Produktionsstandorten in Deutschland, Frankreich, Malaysia und den USA. X-FAB hat eine Gesamtkapazität von rund 94.000 äquivalenten 8-Zoll-Wafer-Starts pro Monat.

Die Technologien reichen von 1,0 bis 0,13 µm Mixed-Signal-CMOS, speziellen SOI- und MEMS-Prozessen mit langer Lebensdauer für Automobil-, Industrie-, Medizin- und weitere Anwendungen.

Das Fraunhofer IISB bietet einen frühen Zugang zu seiner 2µm-SiC-CMOS-Technologie mit NMOS- und PMOS-Transistoren sowie passiven Bauelementen und pn-Dioden für integrierte Schaltungen. Diese Schaltungen können bei Temperaturen über 300 °C (bis ca. 600 °C) betrieben werden. Zusätzliche Prozessmodule sind für Hochspannungsbauteile, isolierte Transistoren und SiC-Bauteilvorlagen, die über CMOS-Schaltungen hinausgehen, erhältlich.
Zu den angestrebten Anwendungen für diese Technologie gehören integrierte Schaltungen jenseits von Silizium für extrem raue Umgebungen, einschließlich hoher Temperaturen und Strahlungspegel mit geringen Leckagen. Darüber hinaus kann die Technologie auf die Herstellung spezieller optischer SiC-Bauelemente und Quantensensor-Vorlagen zugeschnitten werden.

UMS bietet hochleistungsfähige 0,25 μm GaN High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT), 0,15 μm GaN HEMT und 0,1 μm GaAs Low Noise pHEMT Prozesse an.

GH25 ist eine raumevaluierte 0,25 μm HEMT GaN-on-SiC-Substrat-Technologie für Anwendungen mit sehr hoher Leistung. Mit GH25 ist es möglich, GaN-HPAs, LNAs, Schalter, Dioden, MMICs, Powerbars und Multifunktionskomponenten zu entwickeln.

GH15 ist eine 0,15μm HEMT GaN-on-SiC-Substrat-Technologie für Anwendungen mit sehr hoher Leistung.  

PH10 PHEMT GaAs Prozess ist für die Herstellung von rauscharmen Breitband- und medium-power Verstärker(MMICs) optimiert. Mit PH10 lassen sich LNAs, Verstärker mit variabler Verstärkung und mittlerer Leistung, Mischer und Multifunktions-TX- und -RX-MMICs, Fahrzeugradare, Bildsensoren, Glasfaserkommunikation und Messgeräte entwickeln.