Am Fraunhofer IIS werden die Transistoren mit verschiedenen Tests geprüft. Üblicherweise werden die Transistoren über einige Stunden einem gewissen Stress ausgesetzt, beispielsweise einer erhöhten Spannung und einer erhöhten Temperatur. Zwischendurch wird immer wieder gemessen, wie sich die Transistoreigenschaften mit zunehmender Stressdauer verändern. Die Kunst besteht darin, diese Messphasen so kurz wie möglich zu halten, da sie die Stressphase unterbrechen und dadurch die Alterung des Transistors beeinflussen. Mit der Technik am Institutsteil Entwicklung adaptiver Systeme dauert eine Messphase gerade einmal fünf Mikrosekunden. Damit ist das Team um Katrin Ortstein deutlich schneller als vergleichbare Prüfverfahren, die nach den üblichen Normen durchgeführt werden. Da liegt eine Messung üblicherweise im Millisekundenbereich – und ist damit mehrere Hundertmal langsamer.
Ortsteins Team ist außerdem in der Lage, bei den Prüfungen und Modellierungen sehr genau auf die spezifischen Anforderungen der Kunden einzugehen. Eine Besonderheit der Prüfungen ist unter anderem, dass Stress so an den Transistor angelegt werden kann, wie es den realen Bedingungen beim späteren Einsatz entspricht. So wird beispielsweise alternierender Stress angelegt, der in einem gewissen Rhythmus zu- und abnimmt. Katrin Ortstein: »Insgesamt wollen wir den Schaltungsentwicklern eine effiziente Bewertung ermöglichen und sie dabei unterstützen, ihre Zuverlässigkeitsziele zu erreichen.«
Text von Tim Schröder, freier Wissenschaftsjournalist